CVD-SiC (化学気相成長炭化ケイ素)
CVD Silicon Carbide / 高純度SiC
材料としての特徴
- 超高純度(99.9999%以上可能)
- 焼結SiCより高い熱伝導率
- 半導体製造のコンタミ防止
- プラズマエッチング耐性
- 均一な組織・特性
主な用途
- 半導体製造装置サセプター
- プラズマエッチングリング
- ウェハボート
- 高温炉心管
- SiCコーティング
材料選定のポイント
半導体製造で最高純度・最高耐プラズマ性が必要な場合に。焼結SiCより高性能だが高価。
この材料のメリット・デメリット
※ 以下は一般的な特性に基づく参考情報です。実際の性能は製造条件・使用環境により異なる場合があります。
メリット
- 超高純度
- 高熱伝導
- 耐プラズマ
- 均質
デメリット
- 極めて高価
- 加工困難
- サイズ制限